CS5230E是一款采用CMOS工藝,電容式升壓型GF類單聲道音頻功放,可以為4Ω的負(fù)載提供最高5W的連續(xù)功率；CS5230E芯片內(nèi)部固定的28倍增益,有效的減少了外圍元器件的 數(shù)量;功放集成了D類和AB類兩種工作模式即可保證D類模式下強(qiáng)勁的功率輸出,又可兼顧系統(tǒng)在有FM的情況下,消除功放對(duì)系統(tǒng)的干擾；CS5230E具有獨(dú)特的防破音(NCN)功 能,可根據(jù)輸出信號(hào)的大小自動(dòng)調(diào)整功放的增益，實(shí)現(xiàn)更加舒適的聽覺感受,CS5230E還具備電源自適應(yīng)能力,當(dāng)電源電壓低的時(shí)候,功放會(huì)自動(dòng)降低增益,從而減少功放的輸出功率. CS5230E的外圍只有低成本的阻容器件,在以鋰電池供電的移動(dòng)式音頻設(shè)備中,CS5230E是理想的音頻子系統(tǒng)的功放解決方案.CS5230E的全差分架構(gòu)和極高的PSRR有 效地提高了CS5230E對(duì)RF噪聲的抑制 能力。另外CS5230E內(nèi)置了過(guò)流保護(hù),短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù),有效的保護(hù)芯片在異常的工作條件下不被損壞。CS5230提供了ESOP10的封裝類型,其額定的工作溫度 范圍為-40℃至85℃。

集成Charge Pump升壓模塊,集成AB類D類兩種工作模式GF類音頻功放

先進(jìn)的電源自適應(yīng)功能,

輸出功率

  Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω+33uH

      THD+N=10%   5.2W(NCN OFF@D MODE)

      THD+N=1%  4.3W(NCN OFF@D MODE)

  Po at  VBAT = 4.2V,  RL=4Ω+33uH

      THD+N=10%   4.8W(NCN OFF@D MODE)

      THD+N=1%  4.1W(NCN OFF@D MODE)

  Po at  VBAT = 3.6V,  RL=4Ω+33uH

      THD+N=10%   3.45W(NCN OFF@D MODE)

      THD+N=1%  3.00W(NCN OFF@D MODE)

輸入電壓范圍:2.7~5.5V

關(guān)斷電流: <1μA

待機(jī)電流: 3mA

D類調(diào)制頻率: 300KHz

防破音模式開關(guān)

AERC專利技術(shù),提供優(yōu)異的全帶寬EMI抑制能力

優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力

高的電源抑制比(PSRR)：在217Hz下為-80dB

過(guò)溫保護(hù)

過(guò)壓保護(hù)

CS5230提供ESOP10封裝

藍(lán)牙音箱

便攜式音頻設(shè)備

CS5230典型應(yīng)用原理圖：

CS5230引腳定義圖和引腳功能說(shuō)明圖