俄羅斯制定半導體發(fā)展計劃2030年實現量產28nm

點擊次數:267發(fā)布日期:2022-04-21

4月18日消息，由于面臨制裁而無法從常規(guī)供應商處獲得芯片，俄羅斯正在擬定計劃，以重振其境況不佳的本地半導體制造業(yè)，新芯片計劃涉及未來8年相當大規(guī)模的投資。

4月18日

據tomshardware報道，俄羅斯政府已經制定了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本，到2030年需要大約3.19萬億盧布（384.3億美元）的投資。據Cnews報道，這些資金將用于開發(fā)本土半導體生產技術、本土芯片開發(fā)、數據中心基礎設施、本土人才的培養(yǎng)以及國產芯片和解決方案的營銷。

在半導體制造方面，俄羅斯計劃投入4200億盧布（50億美元）用于新制造技術的研發(fā)。俄羅斯的短期目標之一是在今年年底前提高使用90nm制造技術的本地芯片產量，長期目標是在2030年之前建立使用28nm節(jié)點的制造系統(tǒng)，這是臺積電在2011年就實現的目標。

該計劃將于2022年4月22日最終確定，并提交給總理正式批準。

消息，由于面臨制裁而無法從常規(guī)供應商處獲得芯片，俄羅斯正在擬定計劃，以重振其境況不佳的本地半導體制造業(yè)，新芯片計劃涉及未來8年相當大規(guī)模的投資。

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