專(zhuān)註於行業(yè)產(chǎn)品解決方案
專(zhuān)業(yè)研發(fā)精英團(tuán)隊(duì)，實(shí)力見(jiàn)證
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MXB6888概述：
MXB6888是VDS=68V,ID=80A，RDS(ON)(Typ.)=6.8mΩ，@VGS=10V的N溝道MOSFET.MXB6888提供TO-263封裝.
The MXB6888 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications.
MXB6888特性：
VDS=68V, ID=80A @ VGS=10V
RDS(ON)(Typ.)=6.8mΩ @ VGS=10V
Special Designed for E-Bike ControllerApplication
Ultra Low On-Resistance
High UIS and UIS 100% Test
MXB6888應(yīng)用：
48V E-Bike Controller Applications
Hard Switched and High FrequencyCircuits
Uninterruptible Power Supply
MXB6888典型應(yīng)用及引腳：
| 文件名稱(chēng): | 文件格式: | 立即下載: |
|---|---|---|
| HUAYI華羿微 MOS 選型表 | ||
| PE-MOS選型表 | ||
| JMT捷捷微電MOS選型表 | ||
| MX-MOS選型表 | ||
| 驅(qū)動(dòng)線和1至14節(jié)鋰保資料 | ||
| 標(biāo)準(zhǔn)件2020彩頁(yè) | ||
| MXB6888規(guī)格書(shū) |
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